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Scopus著者プロファイル
遠藤 和彦
教授
流体科学研究所・附属統合流動科学国際研究教育センター
h-index
3482
被引用数
29
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1993 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(265)
類似のプロファイル
(5)
フィンガープリント
Kazuhiko Endoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Metal Gate
87%
Field-Effect Transistor
67%
Tunnel
56%
Dielectrics
49%
Noise Margin
47%
Amorphous Carbon
38%
Field Effect Transistors
37%
Thin Films
36%
Controllability
33%
Flash Memory
33%
Nodes
31%
Interlayer
26%
Side Wall
26%
Silicon on Insulator
22%
Silicon Dioxide
22%
Electric Field
21%
Parasitic Resistance
20%
Inverter
19%
Polysilicon
17%
Electric Power Utilization
17%
Nitride
16%
Analyse Variability
16%
Gate Length
15%
Chemical Vapor Deposition
15%
Vapor Deposition
15%
Subthreshold Slope
15%
Atomic Layer Deposition
15%
Floating Gate
15%
Current Drain
14%
Gate Dielectric
14%
Gate Oxide
14%
Nanopillar
14%
Device Performance
13%
Fin Height
12%
Gate Electrode
11%
Power Management
11%
Ion Implantation
10%
Thermal Model
10%
Circuit Performance
9%
Flip Flop Circuits
9%
Tunnel Construction
9%
Nanoscale
9%
Oxide Thickness
9%
Atomic Layer
8%
Grain Orientation
8%
Gate Stack
8%
Fin Thickness
8%
Current-Voltage Characteristic
8%
Gas Flow
7%
Material Science
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
84%
Field Effect Transistors
72%
Film
68%
Dielectric Material
65%
Electronic Circuit
56%
Surface (Surface Science)
46%
Amorphous Carbon
46%
Silicon
44%
Transistor
43%
Oxide Compound
42%
Thin Films
38%
Permittivity
36%
Nitride Compound
32%
Annealing
29%
Titanium
25%
Wet Etching
22%
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
17%
Aluminum Oxide
16%
Electron Mobility
16%
Thermal Stability
15%
Nanodevices
15%
Density
14%
Capacitance
13%
Carrier Mobility
13%
Charge Trapping
12%
Ion Implantation
12%
Physical Vapor Deposition
11%
Doping (Additives)
11%
Reactive Ion Etching
11%
Amorphous Metal
10%
Type Metal
10%
Gas Flow
9%
Electrical Resistivity
9%
Germanium
8%
Carbon Films
8%
Silicon Dioxide
8%
Plasma Etching
8%
Light-Emitting Diode
7%
Thermal Conductivity
6%
Oxide Film
6%
Activation Energy
5%
Current-Voltage Characteristic
5%
Metal Oxide
5%
Contact Resistance
5%
Surface Analysis
5%
Hot Carrier
5%
Tantalum Alloys
5%
Lamp
5%
Composite Material
5%
Dielectric Films
5%
