遠藤 和彦

研究成果

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年別の研究成果

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• 2005

  Demonstration and device design consideration of F^th- controllable independent double-gate MOSFET (4-Terminal XMOS)

  Masahara, M., Liu, Y. X., Sakamoto, K., Endo, K., Matsukawa, T., Ishii, K., Sekigawa, T., Koike, H. & Suzuki, E., 2005, p. 261-272. 12 p.

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  • Design Consideration 100%
  • Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 100%
  • Transistor 100%
  • Device Structure 50%
  • Design Guideline 50%
  1 被引用数 (Scopus)