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Scopus著者プロファイル
品田 賢宏
教授
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
h-index
1112
被引用数
17
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1997
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(70)
類似のプロファイル
(6)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
研究成果
年別の研究成果
1997
2000
2006
2011
2013
2015
2017
2022
31
Article
24
Conference contribution
6
Conference article
3
Chapter
6
その他
2
Book
2
Foreword/postscript
1
Editorial
1
Letter
年別の研究成果
年別の研究成果
3 件
出版年、タイトル
(降順)
出版年、タイトル
(昇順)
タイトル
タイプ
フィルター
Chapter
検索結果
2017
Deterministic single-ion implantation method for quantum processing in silicon and diamond
Shinada, T.
,
Prati, E.
&
Tanii, T.
,
2017 1月 1
,
Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives.
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
,
p. 3-26
24 p.
研究成果
:
Chapter
Doping (Additives)
100%
Material
44%
Silicon
44%
Ion Implantation
33%
Transistor
33%
2013
Deterministic Single-Ion Implantation Method for Extending CMOS Technologies
Shinada, T.
,
2013 1月 1
,
Single-Atom Nanoelectronics.
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
,
p. 89-118
30 p.
研究成果
:
Chapter
Transistor
100%
Dopants
50%
Doping (Additives)
50%
Ion Implantation
33%
Essential Requirement
16%
Quantum Information in Silicon Devices Based on Individual Dopants
Prati, E.
&
Shinada, T.
,
2013 1月 1
,
Single-Atom Nanoelectronics.
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
,
p. 5-40
36 p.
研究成果
:
Chapter
Quantum Information
100%
Silicon
25%
Semiconductor
12%
Solid State
12%
Fabrication
12%
5
被引用数 (Scopus)