Characterization of surface defects of highly n-doped 4H-SiC substrates that produce dislocations in the epitaxial layer

Yukari Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, Y. Kawai, N. Shibata, T. Hirayama, Y. Ikuhara

研究成果: Conference contribution

5 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Characterization of surface defects of highly n-doped 4H-SiC substrates that produce dislocations in the epitaxial layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Material Science

Pharmacology, Toxicology and Pharmaceutical Science