Direct observation of the metamorphism of silicon oxide grains

K. Kamitsuji, S. Ueno, H. Suzuki, Y. Kimura, T. Sato, T. Tanigaki, O. Kido, M. Kurumada, C. Kaito

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抄録

Experimental studies on the metamorphism of SiOx grains under heating at 10-6 Pa have been conducted using a high-resolution transmission electron microscope. Si crystallites were predominantly grown at 500 to 700°C in SiOx grains. The Si crystallites disappeared at 800°C and evaporated as the SiO phase.

本文言語English
ページ(範囲)975-979
ページ数5
ジャーナルAstronomy and Astrophysics
422
3
DOI
出版ステータスPublished - 2004 8月
外部発表はい

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  • 天文学と天体物理学
  • 宇宙惑星科学

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「Direct observation of the metamorphism of silicon oxide grains」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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