Enhancing noise margins of fin-type field effect transistor static random access memory cell by using threshold voltage-controllable flexible-pass-gates

Kazuhiko Endo, Shin Ichi O'uchi, Yuki Ishikawa, Yongxum Liu, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, Kunihiro Sakamoto, Junichi Tsukada, Kenichi Ishii, Hiromi Yamauchi, Eiichi Suzuki

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術論文査読

5 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Enhancing noise margins of fin-type field effect transistor static random access memory cell by using threshold voltage-controllable flexible-pass-gates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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