抄録
We report the epitaxial growth of bismuth oxyhalide BiOX (X = Cl, Br, and I) thin films using mist chemical vapour deposition at atmospheric pressure. The thin films grown under optimum conditions possessed atomically flat surfaces and high crystallinity, where the lattice constants of BiOX were controlled by epitaxial strain.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 9481-9484 |
| ページ数 | 4 |
| ジャーナル | Chemical Communications |
| 巻 | 56 |
| 号 | 66 |
| DOI | |
| 出版ステータス | Published - 2020 8月 25 |
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