Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes

T. Deguchi, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, M. Arita, H. Nakanishi, S. Nakamura

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術論文査読

16 被引用数 (Scopus)

抄録

A systematic study of the optical gain of continuous wave InGaN multiple quantum well laser diode wafers has been made using the variable excitation-stripe length method. Experimental evidence is given of stimulated emission enhanced by resonance between degenerate states and non-degenerate ones, which co-exist in quantum wells having spatial potential undulation due to considerable fluctuation of the InGaN composition.

本文言語英語
ページ(範囲)97-101
ページ数5
ジャーナルSemiconductor Science and Technology
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DOI
出版ステータス出版済み - 1998 1月

フィンガープリント

「Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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