InGaAsP/InP MQW FP laser and silicon platform integration by direct bonding

Akio Higo, Ling Han Li, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano

研究成果: 書籍の章/レポート/Proceedings会議への寄与査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

InGaAsP/InP active layer on silicon heterointegration by Ar/O2 plasma assisted direct bonding in air was reported. The efficient current injection from SOI micro rib to InGaAsP active layer has been achieved to realized a direct-current-pumped Fabry-Perot Laser by pulse operation at 43 mA threshold current.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012
ページ24-25
ページ数2
出版ステータス出版済み - 2012
イベント10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012 - Yokohama, Kanagawa, 日本
継続期間: 2012 5月 292012 5月 31

出版物シリーズ

名前10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012

会議

会議10th International Conference on Optical Internet, COIN 2012
国/地域日本
CityYokohama, Kanagawa
Period12/5/2912/5/31

フィンガープリント

「InGaAsP/InP MQW FP laser and silicon platform integration by direct bonding」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル