New write/erase method for the reduction of the stress-induced leakage current based on the deactivation of step tunneling sites for flash memories

T. Endoh, K. Shimizu, H. Iizuka, S. Watanabe, F. Masuoka

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フィンガープリント

「New write/erase method for the reduction of the stress-induced leakage current based on the deactivation of step tunneling sites for flash memories」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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