Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs

T. Shinada, M. Hori, F. Guagliardo, G. Ferrari, A. Komatubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endo, Y. Ono, E. Prati

研究成果: 書籍の章/レポート/Proceedings会議への寄与査読

19 被引用数 (Scopus)

抄録

Si transistors with deterministically implanted donors were fabricated by single-ion implantation method and their quantum transport was investigated. By placing donors in one dimensional array, we observed the transport characteristics categorized into two regimes: single-electron tunneling through isolated D 0 and D - states; Hubbard band formation due to the inter-donor coupling.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2011 International Electron Devices Meeting, IEDM 2011
ページ30.4.1-30.4.4
DOI
出版ステータス出版済み - 2011
イベント2011 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2011 - Washington, DC, 米国
継続期間: 2011 12月 52011 12月 7

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN(印刷版)0163-1918

会議

会議2011 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2011
国/地域米国
CityWashington, DC
Period11/12/511/12/7

フィンガープリント

「Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル