Seeded growth of GaN single crystals by Na flux method using Na vapor

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術論文査読

8 被引用数 (Scopus)

抄録

The seeded growth of GaN single crystals was performed at 780°a N 2 pressure of 5 MPa by the Na flux method using Na vapor. Transparent crystals were grown on prismatic GaN seed crystals in a Na-Ga melt. The thickness of the crystals grown on the seeds by heating for 400h was approximately 150 μm in the directions perpendicular to the prismatic and pyramidal planes, implying a growth rate of at least U.4 μm/h.

本文言語英語
ページ(範囲)L898-L900
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
45
33-36
DOI
出版ステータス出版済み - 2006 8月 25

フィンガープリント

「Seeded growth of GaN single crystals by Na flux method using Na vapor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル