Surface electrical breakdown and leakage current on semi-insulating InP

T. Kitagawa, H. Hasegawa, H. Ohno

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術論文査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

Surface electrical breakdown on a semi-insulating InP substrate is investigated. The surface is bare or passivated with anodic oxide, SiO2 or Si3N4. The observed breakdown voltage is about one order of magnitude higher than that of semi-insulating GaAs. The leakage current is sensitive to passivation processes and a thin anodic oxide gives the lowest leakage.

本文言語英語
ページ(範囲)299-301
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
21
7
DOI
出版ステータス出版済み - 1985

フィンガープリント

「Surface electrical breakdown and leakage current on semi-insulating InP」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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